IPA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 162+ | 219.22 грн |
| 500+ | 207.44 грн |
| 1000+ | 196.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPA60R080P7XKSA1 за ціною від 128.98 грн до 475.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 2273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPA60R080P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V |
на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 15500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon |
|
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA60R080P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 347.01 грн |
| 10+ | 178.32 грн |
| 100+ | 140.97 грн |
| 500+ | 140.26 грн |
| 1000+ | 135.33 грн |
| 2500+ | 128.98 грн |
| IPA60R080P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 372.50 грн |
| 10+ | 193.24 грн |
| 100+ | 175.97 грн |
| IPA60R080P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 428.97 грн |
| 50+ | 215.11 грн |
| 100+ | 195.91 грн |
| 500+ | 152.29 грн |
| IPA60R080P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 475.88 грн |
| IPA60R080P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)






