Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R099C6XKSA1
IPA60R099C6XKSA1

IPA60R099C6XKSA1 Infineon Technologies

2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+437.86 грн
100+415.62 грн
500+394.54 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R099C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.09 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPA60R099C6XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA60R099C6XKSA1 IPA60R099C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.09 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099C6XKSA1 INFN-S-A0004583373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.09 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.