Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R099C7XKSA1
IPA60R099C7XKSA1

IPA60R099C7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa60r099c7-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
137+258.12 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R099C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPA60R099C7XKSA1 за ціною від 139.56 грн до 419.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R099C7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 83A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 83A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+347.19 грн
10+223.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA60R099C7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.88 грн
10+205.07 грн
100+170.57 грн
500+139.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd68760b06999 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.46 грн
50+212.50 грн
100+194.01 грн
500+151.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7.pdf
IPA60R099C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 83A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 83A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+347.19 грн
10+223.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099C7XKSA1 Infineon_IPA60R099C7_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPA60R099C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+393.88 грн
10+205.07 грн
100+170.57 грн
500+139.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099C7XKSA1 Infineon-IPA60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd68760b06999
IPA60R099C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+419.46 грн
50+212.50 грн
100+194.01 грн
500+151.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.