
IPA60R099P6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 353.21 грн |
10+ | 343.42 грн |
25+ | 232.39 грн |
100+ | 207.96 грн |
500+ | 155.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R099P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R099P6XKSA1 за ціною від 166.16 грн до 408.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPA60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPA60R099P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |