Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R099P7XKSA1
IPA60R099P7XKSA1

IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa60r099p7-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+164.50 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 29W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm.

Інші пропозиції IPA60R099P7XKSA1 за ціною від 128.63 грн до 513.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA60R099P7XKSA1 IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r099p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.65 грн
50+164.23 грн
100+161.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r099p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+166.68 грн
86+164.25 грн
100+161.18 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r099p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+184.98 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r099p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+344.67 грн
50+331.56 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b198c14f14acc Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.24 грн
50+183.10 грн
100+166.37 грн
500+128.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r099p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+513.49 грн
33+435.87 грн
50+330.79 грн
100+317.82 грн
200+278.28 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 IPA60R099P7XKSA1 INFINEON 2718750.pdf Description: INFINEON - IPA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 29W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA60R099P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 infineon-ipa60r099p7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+166.65 грн
50+164.23 грн
100+161.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 infineon-ipa60r099p7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+166.68 грн
86+164.25 грн
100+161.18 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 infineon-ipa60r099p7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
190+184.98 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 infineon-ipa60r099p7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+344.67 грн
50+331.56 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 Infineon-IPA60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b198c14f14acc
IPA60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+370.24 грн
50+183.10 грн
100+166.37 грн
500+128.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 infineon-ipa60r099p7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+513.49 грн
33+435.87 грн
50+330.79 грн
100+317.82 грн
200+278.28 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 2718750.pdf
IPA60R099P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 29W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 Infineon_IPA60R099P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPA60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.