Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R099P7XKSA1
IPA60R099P7XKSA1

IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa60r099p7-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
190+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPA60R099P7XKSA1 за ціною від 109.25 грн до 388.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA60R099P7XKSA1 IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA60R099P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.61 грн
10+171.84 грн
100+136.74 грн
500+111.36 грн
1000+109.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b198c14f14acc Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.40 грн
50+188.61 грн
100+171.39 грн
500+132.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 IPA60R099P7XKSA1 INFINEON 2718750.pdf Description: INFINEON - IPA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.12 грн
10+199.00 грн
100+181.73 грн
500+146.60 грн
1000+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 Infineon_IPA60R099P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPA60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+339.61 грн
10+171.84 грн
100+136.74 грн
500+111.36 грн
1000+109.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 Infineon-IPA60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b198c14f14acc
IPA60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+381.40 грн
50+188.61 грн
100+171.39 грн
500+132.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7XKSA1 2718750.pdf
IPA60R099P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+388.12 грн
10+199.00 грн
100+181.73 грн
500+146.60 грн
1000+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.