Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R120C7XKSA1
IPA60R120C7XKSA1

IPA60R120C7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa60r120c7-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+189.60 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 154 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R120C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.12 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 32W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.

Інші пропозиції IPA60R120C7XKSA1 за ціною від 134.55 грн до 406.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA60R120C7XKSA1 IPA60R120C7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r120c7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.94 грн
10+242.49 грн
50+189.91 грн
100+162.35 грн
500+134.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120C7XKSA1 IPA60R120C7XKSA1 Infineon Technologies infineon_ipa60r120c7_datasheet_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+406.21 грн
10+208.72 грн
100+165.20 грн
500+137.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120C7XKSA1 IPA60R120C7XKSA1 INFINEON 4768071.pdf Description: INFINEON - IPA60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.12 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120C7XKSA1 Rochester Electronics infineon-ipa60r120c7-datasheet-en.pdf IPA60R120C7XKSA1
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+207.83 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120C7XKSA1 infineon-ipa60r120c7-datasheet-en.pdf
IPA60R120C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+378.94 грн
10+242.49 грн
50+189.91 грн
100+162.35 грн
500+134.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120C7XKSA1 infineon_ipa60r120c7_datasheet_en.pdf
IPA60R120C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+406.21 грн
10+208.72 грн
100+165.20 грн
500+137.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120C7XKSA1 4768071.pdf
IPA60R120C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.12 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120C7XKSA1 infineon-ipa60r120c7-datasheet-en.pdf
Виробник: Rochester Electronics
IPA60R120C7XKSA1
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+207.83 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.