IPA60R120C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 154+ | 157.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R120C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPA60R120C7XKSA1 за ціною від 105.10 грн до 344.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R120C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPA60R120C7XKSA1 | Виробник : Rochester Electronics |
IPA60R120C7XKSA1 |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IPA60R120C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPA60R120C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPA60R120C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 66A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 32W Pulsed drain current: 66A Technology: CoolMOS™ C7 Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPA60R120C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPA60R120C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 66A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 32W Pulsed drain current: 66A Technology: CoolMOS™ C7 Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP |
товару немає в наявності |