Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R120P7XKSA1
IPA60R120P7XKSA1

IPA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa60r120p7-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.18 грн
50+132.16 грн
100+119.74 грн
500+91.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 28W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції IPA60R120P7XKSA1 за ціною від 295.97 грн до 306.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA60R120P7XKSA1 IPA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r120p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+306.27 грн
50+295.97 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120P7XKSA1 IPA60R120P7XKSA1 INFINEON 2718751.pdf Description: INFINEON - IPA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120P7XKSA1 IPA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA60R120P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120P7XKSA1 infineon-ipa60r120p7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA60R120P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+306.27 грн
50+295.97 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120P7XKSA1 2718751.pdf
IPA60R120P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120P7XKSA1 Infineon_IPA60R120P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPA60R120P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.