Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > IPA60R125C6XKSA1

IPA60R125C6XKSA1

Infineon-IPx60R125C6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01235b1ae8fc4910
Код товару: 178080
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPA60R125C6XKSA1 за ціною від 179.34 грн до 390.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R125C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+225.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6XKSA1 Infineon Technologies 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6XKSA1 Infineon Technologies 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.64 грн
100+236.22 грн
500+205.54 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6XKSA1 Infineon Technologies 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.91 грн
50+257.16 грн
100+235.78 грн
500+205.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R125C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+387.30 грн
10+213.80 грн
100+194.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPx60R125C6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01235b1ae8fc4910 Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.91 грн
50+196.71 грн
100+179.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6-DTE.pdf
IPA60R125C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+225.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf
IPA60R125C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
150+235.72 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf
IPA60R125C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
55+257.64 грн
100+236.22 грн
500+205.54 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 2342048081648198infineon-ipx60r125c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e01235b.pdf
IPA60R125C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+259.91 грн
50+257.16 грн
100+235.78 грн
500+205.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 INFN-S-A0004583435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R125C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R125C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+387.30 грн
10+213.80 грн
100+194.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 Infineon-IPx60R125C6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01235b1ae8fc4910
IPA60R125C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+390.91 грн
50+196.71 грн
100+179.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.