IPA60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 176.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA60R125CFD7XKSA1 за ціною від 121.91 грн до 250.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPA60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
600V CoolMOS CFD7 Power Transistor |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPA60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPA60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPA60R125CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPA60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IPA60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
600V CoolMOS CFD7 Power Transistor |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IPA60R125CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |