
IPA60R125CPXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 251.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R125CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R125CPXKSA1 за ціною від 235.84 грн до 538.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 45979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA60R125CPXKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 45613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA60R125CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA60R125CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPA60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPA60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPA60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPA60R125CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |