на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 316.63 грн |
| 10+ | 262.04 грн |
| 25+ | 215.52 грн |
| 100+ | 184.32 грн |
| 250+ | 174.16 грн |
| 500+ | 163.27 грн |
| 1000+ | 140.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R125P6 Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R125P6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R125P6 | Виробник : Infineon technologies |
![Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en[1].pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f](/images/adobe-acrobat.png) |
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IPA60R125P6 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |