IPA60R125P6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 131.79 грн |
| 10+ | 124.55 грн |
| 25+ | 120.17 грн |
| 100+ | 113.72 грн |
| 500+ | 102.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R125P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R125P6XKSA1 за ціною від 109.86 грн до 253.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA60R125P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA60R125P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA60R125P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPA60R125P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPA60R125P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPA60R125P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPA60R125P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPA60R125P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |