IPA60R160P6XKSA1

IPA60R160P6XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+145.40 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R160P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPA60R160P6XKSA1 за ціною від 93.49 грн до 246.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+173.10 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.62 грн
50+137.02 грн
100+122.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX60R160P6_DS_v02_02_EN-1659685.pdf MOSFETs N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.31 грн
10+230.12 грн
25+113.30 грн
100+106.67 грн
500+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b Description: INFINEON - IPA60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+246.76 грн
10+179.91 грн
100+146.08 грн
500+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R160P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R160P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.