IPA60R160P6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 198+ | 157.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R160P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA60R160P6XKSA1 за ціною від 77.45 грн до 313.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R160P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA60R160P6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA60R160P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3 |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA60R160P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA60R160P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA60R160P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPA60R160P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPA60R160P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |