Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R160P6XKSA1
IPA60R160P6XKSA1

IPA60R160P6XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
198+179.15 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R160P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPA60R160P6XKSA1 за ціною від 78.24 грн до 263.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.74 грн
50+111.97 грн
100+101.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 INFINEON INFNS28171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.11 грн
10+120.88 грн
100+109.37 грн
500+78.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPX60R160P6_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.13 грн
10+131.31 грн
100+102.90 грн
500+83.17 грн
1000+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b
IPA60R160P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+230.74 грн
50+111.97 грн
100+101.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 INFNS28171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R160P6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+240.11 грн
10+120.88 грн
100+109.37 грн
500+78.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 Infineon_IPX60R160P6_DS_v02_02_EN.pdf
IPA60R160P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+263.13 грн
10+131.31 грн
100+102.90 грн
500+83.17 грн
1000+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.