Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > IPA60R180C7XKSA1

IPA60R180C7XKSA1

Infineon-IPA60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd65089d0627d
Код товару: 125679
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPA60R180C7XKSA1 за ціною від 99.84 грн до 213.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA60R180C7XKSA1 IPA60R180C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd65089d0627d Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.44 грн
50+103.99 грн
100+99.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7XKSA1 IPA60R180C7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r180c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+213.54 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7XKSA1 IPA60R180C7XKSA1 INFINEON 2577557.pdf Description: INFINEON - IPA60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 29W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7XKSA1 IPA60R180C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA60R180C7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7XKSA1 Infineon-IPA60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd65089d0627d
IPA60R180C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.44 грн
50+103.99 грн
100+99.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7XKSA1 infineon-ipa60r180c7-datasheet-v02_01-en.pdf
IPA60R180C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+213.54 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7XKSA1 2577557.pdf
IPA60R180C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 29W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7XKSA1 Infineon_IPA60R180C7_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPA60R180C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.