Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPA60R180P7SXKSA1

IPA60R180P7SXKSA1

Infineon-IPA60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d560059430feb
Код товару: 179007
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPA60R180P7SXKSA1 за ціною від 37.25 грн до 190.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
372+95.17 грн
500+85.65 грн
1000+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d560059430feb Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-312
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.14 грн
50+65.56 грн
100+58.75 грн
500+43.90 грн
1000+40.29 грн
2000+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d560059430feb MOSFETs CONSUMER
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.28 грн
10+79.43 грн
100+58.92 грн
500+50.18 грн
1000+42.71 грн
2500+41.80 грн
5000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON 2718752.pdf Description: INFINEON - IPA60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.77 грн
10+90.45 грн
100+78.61 грн
500+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 infineon-ipa60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA60R180P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
372+95.17 грн
500+85.65 грн
1000+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 Infineon-IPA60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d560059430feb
IPA60R180P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-312
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.14 грн
50+65.56 грн
100+58.75 грн
500+43.90 грн
1000+40.29 грн
2000+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 Infineon-IPA60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d560059430feb
IPA60R180P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+165.28 грн
10+79.43 грн
100+58.92 грн
500+50.18 грн
1000+42.71 грн
2500+41.80 грн
5000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 2718752.pdf
IPA60R180P7SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+190.77 грн
10+90.45 грн
100+78.61 грн
500+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.