Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R180P7XKSA1
IPA60R180P7XKSA1

IPA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa60r180p7-datasheet-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.35 грн
50+94.03 грн
100+84.69 грн
500+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPA60R180P7XKSA1 за ціною від 58.15 грн до 279.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r180p7-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+198.15 грн
123+101.15 грн
124+100.39 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r180p7-datasheet-en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.94 грн
10+103.56 грн
100+82.29 грн
500+65.21 грн
1000+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 Виробник : INFINEON 2362698.pdf Description: INFINEON - IPA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.30 грн
10+112.34 грн
100+102.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r180p7-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+261.54 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r180p7-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+279.25 грн
10+138.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r180p7-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r180p7-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r180p7-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8121E29F2620C7&compId=IPA60R180P7.pdf?ci_sign=c50b97310bf5cc30162633128355da9e77326508 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.