Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R190C6
IPA60R190C6

IPA60R190C6 Infineon Technologies

Infineon_IPA60R190C6_DS_v02_03_EN-3362368.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.54 грн
10+178.77 грн
100+123.76 грн
500+104.14 грн
1000+89.04 грн
2500+84.52 грн
5000+82.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R190C6 Infineon Technologies

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPA60R190C6 за ціною від 157.53 грн до 157.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA60R190C6 Виробник : Infineon INFN-S-A0004583470-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 20,2A 650V 151W 0.19Ω IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6 TIPA60r190c6
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+157.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6
Код товару: 170681
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0004583470-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6 IPA60R190C6 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0004583470-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.