Інші пропозиції IPA60R190C6 за ціною від 79.28 грн до 250.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA60R190C6 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 20,2A 650V 151W 0.19Ω IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6 TIPA60r190c6кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPA60R190C6 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6 |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPA60R190C6 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |


