Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R190C6XKSA1
IPA60R190C6XKSA1

IPA60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPA60R190C6-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+146.19 грн
10+122.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPA60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPA60R190C6XKSA1 за ціною від 79.56 грн до 300.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+166.70 грн
86+165.50 грн
100+151.83 грн
500+122.67 грн
1000+112.51 грн
2000+104.73 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.89 грн
50+165.70 грн
100+152.00 грн
500+122.82 грн
1000+112.64 грн
2000+104.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+167.36 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012264ffa8d31148 MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.54 грн
10+134.55 грн
100+106.43 грн
500+85.99 грн
1000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+272.18 грн
10+137.32 грн
100+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012264ffa8d31148 Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 9053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.52 грн
50+146.07 грн
100+132.14 грн
500+101.11 грн
1000+93.75 грн
2000+87.57 грн
5000+79.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
85+166.70 грн
86+165.50 грн
100+151.83 грн
500+122.67 грн
1000+112.51 грн
2000+104.73 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+166.89 грн
50+165.70 грн
100+152.00 грн
500+122.82 грн
1000+112.64 грн
2000+104.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
190+186.22 грн
500+167.36 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012264ffa8d31148
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+270.54 грн
10+134.55 грн
100+106.43 грн
500+85.99 грн
1000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 INFN-S-A0004583470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+272.18 грн
10+137.32 грн
100+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012264ffa8d31148
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 9053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+300.52 грн
50+146.07 грн
100+132.14 грн
500+101.11 грн
1000+93.75 грн
2000+87.57 грн
5000+79.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.