Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPA60R190E6

IPA60R190E6

INFN-S-A0003614948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 152458
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPA60R190E6 за ціною від 79.28 грн до 215.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA60R190E6 IPA60R190E6 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA60R190E6_DS_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.81 грн
10+159.94 грн
500+79.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6 Виробник : Infineon technologies INFN-S-A0003614948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6 IPA60R190E6 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0003614948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V 0.19OHM N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.