IPA60R190E6XKSA1

IPA60R190E6XKSA1 Infineon Technologies


ipa60r190e6_2_0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+96.30 грн
12+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R190E6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPA60R190E6XKSA1 за ціною від 103.71 грн до 250.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipa60r190e6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+103.71 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003614948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+250.73 грн
10+141.64 грн
100+121.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipa60r190e6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPA60R190E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043284aacd801286c9f28472921 Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA60R190E6_DS_v02_04_EN-3360263.pdf MOSFET HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.