Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R190P6XKSA1
IPA60R190P6XKSA1

IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies

infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+99.61 грн
1000+95.55 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 34W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm.

Інші пропозиції IPA60R190P6XKSA1 за ціною від 70.42 грн до 310.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+99.61 грн
1000+95.55 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.50 грн
10+120.47 грн
50+89.93 грн
100+78.90 грн
250+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 INFINEON INFNS27987-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.86 грн
10+134.86 грн
100+102.79 грн
500+79.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies DS_IPA60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.39 грн
50+118.20 грн
100+106.55 грн
500+80.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+289.01 грн
85+167.28 грн
100+153.44 грн
500+102.19 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+309.97 грн
84+170.39 грн
100+155.38 грн
500+95.09 грн
1000+87.02 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.94 грн
50+170.92 грн
100+155.87 грн
500+95.39 грн
1000+87.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+99.61 грн
1000+95.55 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
248+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6-DTE.pdf
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.50 грн
10+120.47 грн
50+89.93 грн
100+78.90 грн
250+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 INFNS27987-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+208.86 грн
10+134.86 грн
100+102.79 грн
500+79.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 DS_IPA60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+247.39 грн
50+118.20 грн
100+106.55 грн
500+80.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
49+289.01 грн
85+167.28 грн
100+153.44 грн
500+102.19 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
46+309.97 грн
84+170.39 грн
100+155.38 грн
500+95.09 грн
1000+87.02 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+310.94 грн
50+170.92 грн
100+155.87 грн
500+95.39 грн
1000+87.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.