Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R190P6XKSA1
IPA60R190P6XKSA1

IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r190p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014ede.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPA60R190P6XKSA1 за ціною від 72.80 грн до 226.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C967A58C71BF&compId=IPA60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=103642d66197600c23afd64a60a16e360317670a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.37 грн
4+126.55 грн
8+122.62 грн
10+117.91 грн
21+115.55 грн
50+110.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C967A58C71BF&compId=IPA60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=103642d66197600c23afd64a60a16e360317670a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.85 грн
3+157.71 грн
8+147.15 грн
10+141.49 грн
21+138.66 грн
50+133.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r190p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014ede.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+199.76 грн
106+115.78 грн
117+105.18 грн
500+80.98 грн
1000+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPA60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.48 грн
50+108.10 грн
100+97.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Виробник : INFINEON INFNS27987-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.87 грн
10+173.53 грн
100+137.98 грн
500+99.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r190p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014ede.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r190p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014ede.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX60R190P6_DS_v02_02_EN-3360306.pdf MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.