IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies


infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+151.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 34W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm.

Інші пропозиції IPA60R199CPXKSA1 за ціною від 131.95 грн до 321.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+182.70 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+246.45 грн
70+209.29 грн
81+181.26 грн
100+154.55 грн
500+131.95 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.75 грн
10+210.39 грн
50+182.21 грн
100+155.37 грн
500+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r199cp-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.47 грн
10+203.96 грн
50+158.66 грн
100+135.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+182.70 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+246.45 грн
70+209.29 грн
81+181.26 грн
100+154.55 грн
500+131.95 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+247.75 грн
10+210.39 грн
50+182.21 грн
100+155.37 грн
500+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 infineon-ipa60r199cp-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+321.47 грн
10+203.96 грн
50+158.66 грн
100+135.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 INFN-S-A0004583188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.