Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R199CPXKSA1
IPA60R199CPXKSA1

IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies

infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+55.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 34W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm.

Інші пропозиції IPA60R199CPXKSA1 за ціною від 132.37 грн до 298.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+167.42 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R199CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c720946ff Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.35 грн
50+145.87 грн
100+132.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+297.13 грн
71+200.22 грн
100+174.25 грн
500+152.23 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.86 грн
50+201.38 грн
100+175.28 грн
500+153.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf
IPA60R199CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+167.42 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c720946ff
IPA60R199CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+296.35 грн
50+145.87 грн
100+132.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf
IPA60R199CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+297.13 грн
71+200.22 грн
100+174.25 грн
500+152.23 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf
IPA60R199CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+298.86 грн
50+201.38 грн
100+175.28 грн
500+153.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 INFN-S-A0004583188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R199CPXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 infineonipa60r199cpdsv0203en.pdf
IPA60R199CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.