Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R1K0CEXKSA1
IPA60R1K0CEXKSA1

IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies

3691infineon-ipa60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537a.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPA60R1K0CEXKSA1 за ціною від 27.66 грн до 121.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA60R1K0CEXKSA1 IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies 3691infineon-ipa60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
512+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 512 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R1K0CEXKSA1 IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies 3691infineon-ipa60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 90500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R1K0CEXKSA1 IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be0c671ef Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.34 грн
50+42.58 грн
100+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R1K0CEXKSA1 IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies 3691infineon-ipa60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R1K0CEXKSA1 IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R1K0CEXKSA1 IPA60R1K0CEXKSA1 INFINEON 2577558.pdf Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R1K0CEXKSA1 3691infineon-ipa60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537a.pdf
IPA60R1K0CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
512+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 512 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R1K0CEXKSA1 3691infineon-ipa60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537a.pdf
IPA60R1K0CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 90500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon-IPA60R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be0c671ef
IPA60R1K0CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.34 грн
50+42.58 грн
100+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R1K0CEXKSA1 3691infineon-ipa60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537a.pdf
IPA60R1K0CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon-IPA60R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf
IPA60R1K0CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R1K0CEXKSA1 2577558.pdf
IPA60R1K0CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.