IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 30.58 грн |
| 1000+ | 24.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPA60R1K0CEXKSA1 за ціною від 24.44 грн до 90.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA60R1K0CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA60R1K0CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 90500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA60R1K0CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA60R1K0CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA60R1K0CEXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IPA60R1K0CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPA60R1K0CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPA60R1K0CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |