IPA60R1K5CEXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IPA60R1K5 - 600V, N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 78500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 875+ | 24.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R1K5CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: IPA60R1K5 - 600V, N-CHANNEL POWE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R1K5CEXKSA1 за ціною від 22.02 грн до 70.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R1K5CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA60R1K5CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA60R1K5CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 37000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA60R1K5CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 56500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA60R1K5CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPA60R1K5CEXKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R1K5CEXKSA1 - IPA60R1K5 - 600V, N-CHANNEL POWER MOSFET euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 39500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPA60R1K5CEXKSA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IPA60R1K5CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |