Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R230P6XKSA1
IPA60R230P6XKSA1

IPA60R230P6XKSA1 Infineon Technologies

infineonipb60r230p6dsv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
268+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R230P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R230P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16.8 A, 0.207 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.207ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPA60R230P6XKSA1 за ціною від 57.23 грн до 212.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA60R230P6XKSA1 IPA60R230P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r230p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.56 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 IPA60R230P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R230P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.8A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.51 грн
10+124.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 IPA60R230P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPX60R230P6_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.77 грн
10+93.21 грн
100+72.60 грн
500+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 IPA60R230P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R230P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415f8ab7321ec1 Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.16 грн
50+81.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 IPA60R230P6XKSA1 INFINEON INFNS28172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R230P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16.8 A, 0.207 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.207ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.15 грн
10+105.25 грн
100+94.56 грн
500+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 infineonipb60r230p6dsv0202en.pdf
IPA60R230P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.56 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 IPA60R230P6-DTE.pdf
IPA60R230P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.8A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+174.51 грн
10+124.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 Infineon_IPX60R230P6_DS_v02_02_EN.pdf
IPA60R230P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+190.77 грн
10+93.21 грн
100+72.60 грн
500+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 Infineon-IPX60R230P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415f8ab7321ec1
IPA60R230P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+206.16 грн
50+81.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 INFNS28172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R230P6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R230P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16.8 A, 0.207 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.207ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+212.15 грн
10+105.25 грн
100+94.56 грн
500+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.