Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R250CPXKSA1
IPA60R250CPXKSA1

IPA60R250CPXKSA1 Infineon Technologies

IPA60R250CP.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 21936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+102.82 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R250CPXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPA60R250CPXKSA1 за ціною від 117.66 грн до 130.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipa60r250cp_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+130.84 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipa60r250cp_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 9596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+130.84 грн
500+124.76 грн
1000+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipa60r250cp_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+130.84 грн
500+124.76 грн
1000+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipa60r250cp_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+130.84 грн
500+124.76 грн
1000+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R250CPXKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IPA60R250CP.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R250CPXKSA1 - IPA60R250 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+121.29 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CPXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R250CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPA60R250CP.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CPXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R250CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.