IPA60R280E6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 128.93 грн |
| 500+ | 116.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R280E6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R280E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA60R280E6XKSA1 за ціною від 72.40 грн до 329.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPA60R280E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.25 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6 |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA60R280E6XKSA1 TIPA60r280e6 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA60R280E6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |