Технічний опис IPA60R280P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R280P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.252 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 32W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.252ohm.
Інші пропозиції IPA60R280P6XKSA1 за ціною від 50.82 грн до 192.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 11095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPA60R280P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPA60R280P6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R280P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.252 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 32W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.252ohm |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3 |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPA60R280P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 73.52 грн |
| 12+ | 65.16 грн |
| 100+ | 63.30 грн |
| IPA60R280P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 304+ | 116.65 грн |
| 500+ | 104.98 грн |
| 1000+ | 96.83 грн |
| IPA60R280P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 304+ | 116.65 грн |
| 500+ | 104.98 грн |
| IPA60R280P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 11095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 304+ | 116.65 грн |
| 500+ | 104.98 грн |
| 1000+ | 96.83 грн |
| 10000+ | 83.24 грн |
| IPA60R280P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.41 грн |
| 10+ | 115.38 грн |
| 20+ | 100.11 грн |
| IPA60R280P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.96 грн |
| 50+ | 83.78 грн |
| 100+ | 79.59 грн |
| 500+ | 57.15 грн |
| IPA60R280P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R280P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.252 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.252ohm
Description: INFINEON - IPA60R280P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.252 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.252ohm
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 187.48 грн |
| 10+ | 109.37 грн |
| 100+ | 83.87 грн |
| IPA60R280P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
MOSFETs N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.42 грн |
| 10+ | 93.21 грн |
| 100+ | 72.60 грн |
| 500+ | 58.22 грн |
| 1000+ | 50.82 грн |







