IPA60R299CP Infineon Technologies
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.75 грн |
| 10+ | 194.12 грн |
| 25+ | 159.26 грн |
| 100+ | 135.77 грн |
| 250+ | 133.57 грн |
| 500+ | 113.02 грн |
| 1000+ | 103.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R299CP Infineon Technologies
Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R299CP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R299CP | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |