
IPA60R299CPXKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R299CPXKSA1 - IPA60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
223+ | 113.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R299CPXKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R299CPXKSA1 за ціною від 107.52 грн до 172.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPA60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 313999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPA60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPA60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPA60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPA60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPA60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPA60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPA60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IPA60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IPA60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IPA60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IPA60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |