IPA60R360CFD7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 341+ | 89.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R360CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 23W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPA60R360CFD7XKSA1 за ціною від 79.45 грн до 226.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R360CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPA60R360CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IPA60R360CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP002621076 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IPA60R360CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPA60R360CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPA60R360CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |