IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 31.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA60R360P7SXKSA1 за ціною від 24.84 грн до 131.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA60R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA60R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA60R360P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220FP Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.36Ω Drain current: 6A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 22W Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA60R360P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220FP Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.36Ω Drain current: 6A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 22W Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 191 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA60R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V |
на замовлення 2466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA60R360P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 22W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA60R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA60R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA60R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IPA60R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IPA60R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPA60R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |