Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R360P7SXKSA1
IPA60R360P7SXKSA1

IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa60r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
183+77.20 грн
185+76.51 грн
205+69.09 грн
500+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 22W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.

Інші пропозиції IPA60R360P7SXKSA1 за ціною від 34.28 грн до 109.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.83 грн
50+77.13 грн
100+69.66 грн
500+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 22W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.40 грн
10+49.86 грн
50+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA60R360P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON 2718755.pdf Description: INFINEON - IPA60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 infineon-ipa60r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+77.83 грн
50+77.13 грн
100+69.66 грн
500+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 22W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.40 грн
10+49.86 грн
50+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon_IPA60R360P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 2718755.pdf
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.