IPA60R380C6

IPA60R380C6 Infineon Technologies


Infineon_IPA60R380C6_DataSheet_v02_04_EN-3362257.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.98 грн
10+127.44 грн
100+88.07 грн
250+81.46 грн
500+74.12 грн
1000+63.48 грн
2500+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R380C6 Infineon Technologies

Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPA60R380C6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA60R380C6 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0004583381-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.