IPA60R380C6 Infineon Technologies
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.35 грн |
| 10+ | 127.75 грн |
| 100+ | 88.28 грн |
| 250+ | 81.66 грн |
| 500+ | 74.30 грн |
| 1000+ | 63.64 грн |
| 2500+ | 60.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R380C6 Infineon Technologies
Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R380C6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R380C6 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |