Технічний опис IPA60R380P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IPA60R380P6XKSA1 за ціною від 56.36 грн до 135.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPA60R380P6XKSA1 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 889mOhm; 10,6A; 83W; -55°C ~ 150°C; IPA60R380P6XKSA1 IPA60R380P6 TIPA60r380p6 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPA60R380P6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 56.36 грн |
| IPA60R380P6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 889mOhm; 10,6A; 83W; -55°C ~ 150°C; IPA60R380P6XKSA1 IPA60R380P6 TIPA60r380p6
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 889mOhm; 10,6A; 83W; -55°C ~ 150°C; IPA60R380P6XKSA1 IPA60R380P6 TIPA60r380p6
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 59.94 грн |
| IPA60R380P6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 389+ | 90.33 грн |
| 500+ | 81.30 грн |
| 1000+ | 74.97 грн |
| IPA60R380P6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 135.47 грн |
| 50+ | 63.15 грн |
| 100+ | 56.58 грн |