IPA60R385CP Infineon Technologies
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 205.99 грн |
| 10+ | 145.52 грн |
| 100+ | 96.37 грн |
| 250+ | 84.60 грн |
| 500+ | 75.78 грн |
| 2500+ | 75.04 грн |
| 5000+ | 74.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R385CP Infineon Technologies
Description: IPA60R385 - 600V COOLMOS N-CHANN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R385CP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R385CP | Виробник : INFINEON |
 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IPA60R385CP | Виробник : Infineon |
09+ |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IPA60R385CP | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPA60R385 - 600V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |