
IPA60R400CEXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 37.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R400CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA60R400CEXKSA1 за ціною від 39.48 грн до 153.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA60R400CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R400CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R400CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R400CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R400CEXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.3A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R400CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R400CEXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R400CEXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.3A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 239 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R400CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA60R400CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA60R400CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |