Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R520C6XKSA1
IPA60R520C6XKSA1

IPA60R520C6XKSA1 Infineon Technologies

IPA60R520C6.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 111009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
424+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 424
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R520C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA, Power Dissipation (Max): 29W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції IPA60R520C6XKSA1 за ціною від 54.14 грн до 97.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA60R520C6XKSA1 IPA60R520C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 4227ipd60r520c6_rev.2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 110020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
362+97.81 грн
500+88.02 грн
1000+81.17 грн
10000+69.79 грн
100000+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 362
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R520C6XKSA1 IPA60R520C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 4227ipd60r520c6_rev.2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
362+97.81 грн
500+88.02 грн
Мінімальне замовлення: 362
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R520C6XKSA1 IPA60R520C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA60R520C6-DS-v02_02-EN-1225937.pdf MOSFET N-Ch 600V 8.1A TO220FP-3 CoolMOS C6
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R520C6XKSA1 IPA60R520C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPA60R520C6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.