![IPA60R520CP IPA60R520CP](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4242/MFG_BYR29X-600,127.jpg)
IPA60R520CP Infineon Technologies
![INFNS17418-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 55486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
270+ | 74.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R520CP Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R520CP
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IPA60R520CP | Виробник : INFINEON |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |