IPA60R600E6XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 438+ | 49.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R600E6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R600E6XKSA1 за ціною від 56.85 грн до 166.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R600E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPA60R600E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPA60R600E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPA60R600E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IPA60R600E6XKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R600E6XKSA1 - IPA60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
IPA60R600E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IPA60R600E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPA60R600E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IPA60R600E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IPA60R600E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |