IPA60R600P6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 36.53 грн |
| 500+ | 36.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R600P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R600P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA60R600P6XKSA1 за ціною від 38.70 грн до 120.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA60R600P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPA60R600P6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R600P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPA60R600P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IPA60R600P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IPA60R600P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPA60R600P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 28W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 28W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPA60R600P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPA60R600P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IPA60R600P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 28W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 28W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |