Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA60R650CEXKSA1
IPA60R650CEXKSA1

IPA60R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPA60R650CE-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+80.40 грн
7+69.57 грн
10+61.08 грн
50+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPA60R650CEXKSA1 за ціною від 26.85 грн до 122.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.91 грн
50+53.02 грн
100+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA60R650CE_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 7A TO220FP-3
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.19 грн
10+47.58 грн
100+35.95 грн
500+27.63 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.52 грн
16+53.61 грн
100+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPA60R650CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.91 грн
50+53.02 грн
100+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 Infineon_IPA60R650CE_DS_v02_03_EN.pdf
IPA60R650CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 7A TO220FP-3
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.19 грн
10+47.58 грн
100+35.95 грн
500+27.63 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+122.52 грн
16+53.61 грн
100+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.