IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 302+ | 40.56 грн |
| 306+ | 40.06 грн |
| 500+ | 39.95 грн |
| 1000+ | 38.33 грн |
| 2000+ | 35.40 грн |
| 4000+ | 32.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA60R650CEXKSA1 за ціною від 32.00 грн до 130.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA60R650CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPA60R650CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA60R650CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 7A TO220FP-3 |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA60R650CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA60R650CEXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPA60R650CEXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA60R650CEXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
IPA60R650CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPA60R650CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPA60R650CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |