Інші пропозиції IPA60R950C6XKSA1 за ціною від 46.62 грн до 114.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R950C6XKSA1 | Виробник : Infineon |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA60R950C6XKSA1 TIPA60r950c6кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA60R950C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA60R950C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA60R950C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 223660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA60R950C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA60R950C6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R950C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.4 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 26 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPA60R950C6XKSA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 650V 4.4A TO-220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IPA60R950C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPA60R950C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 4.4A TO220FP-3 CoolMOS C6 |
товару немає в наявності |