Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA65R045C7XKSA1
IPA65R045C7XKSA1

IPA65R045C7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IPA65R045C7_DataSheet_v02_01_EN-3362130.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+693.20 грн
10+530.10 грн
25+437.70 грн
100+406.68 грн
250+402.46 грн
500+400.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R045C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPA65R045C7XKSA1 за ціною від 366.51 грн до 867.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA65R045C7XKSA1 IPA65R045C7XKSA1 INFINEON 2849597.pdf Description: INFINEON - IPA65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+782.83 грн
5+676.75 грн
10+569.85 грн
50+487.15 грн
100+374.26 грн
250+366.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R045C7XKSA1 IPA65R045C7XKSA1 Infineon Technologies INFNS29944-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+867.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R045C7XKSA1 2849597.pdf
IPA65R045C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+782.83 грн
5+676.75 грн
10+569.85 грн
50+487.15 грн
100+374.26 грн
250+366.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R045C7XKSA1 INFNS29944-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA65R045C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+867.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.