
IPA65R045C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 601.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R045C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA65R045C7XKSA1 за ціною від 365.72 грн до 870.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA65R045C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA65R045C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA65R045C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA65R045C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA65R045C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA65R045C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA65R045C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA65R045C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA65R045C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA65R045C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPA65R045C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPA65R045C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |