IPA65R045C7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 699.14 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R045C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPA65R045C7XKSA1 за ціною від 586.62 грн до 849.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPA65R045C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.04 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA65R045C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 701.66 грн |
| 100+ | 673.31 грн |
| IPA65R045C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 701.66 грн |
| 100+ | 673.31 грн |
| 500+ | 643.78 грн |
| IPA65R045C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 701.66 грн |
| IPA65R045C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 701.66 грн |
| 100+ | 673.31 грн |
| 500+ | 643.78 грн |
| 1000+ | 586.62 грн |
| IPA65R045C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 701.66 грн |
| 100+ | 673.31 грн |
| 500+ | 643.78 грн |
| 1000+ | 586.62 грн |
| IPA65R045C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 828.06 грн |
| 50+ | 782.54 грн |
| 100+ | 722.46 грн |
| 200+ | 692.55 грн |
| IPA65R045C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 849.64 грн |
| IPA65R045C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPA65R045C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPA65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






