
IPA65R065C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 282.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R065C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.065 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції IPA65R065C7XKSA1 за ціною від 278.26 грн до 580.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA65R065C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPA65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
IPA65R065C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
IPA65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |