IPA65R095C7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 108+ | 213.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R095C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.095 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції IPA65R095C7XKSA1 за ціною від 176.26 грн до 399.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA65R095C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.095 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPA65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPA65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IPA65R095C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA65R095C7XKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
IPA65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPA65R095C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS |
товару немає в наявності |