IPA65R095C7XKSA1

IPA65R095C7XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPA65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be754266003b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+212.75 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R095C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.095 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції IPA65R095C7XKSA1 за ціною від 175.41 грн до 397.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA65R095C7XKSA1 IPA65R095C7XKSA1 Виробник : INFINEON 4425943.pdf Description: INFINEON - IPA65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.095 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+397.51 грн
10+279.24 грн
100+207.79 грн
500+175.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R095C7XKSA1 IPA65R095C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa65r095c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R095C7XKSA1 IPA65R095C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa65r095c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R095C7XKSA1 IPA65R095C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa65r095c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R095C7XKSA1 IPA65R095C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R095C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R095C7XKSA1 IPA65R095C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be754266003b Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R095C7XKSA1 IPA65R095C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA65R095C7_DataSheet_v02_01_EN-3362442.pdf MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R095C7XKSA1 IPA65R095C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R095C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.