IPA65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 413.55 грн |
| 50+ | 210.64 грн |
| 100+ | 192.52 грн |
| 500+ | 150.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA65R110CFDXKSA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA65R110CFDXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
650V Power Transistor |
товару немає в наявності |
|
 |
IPA65R110CFDXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |