Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA65R110CFDXKSA2
IPA65R110CFDXKSA2

IPA65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies

DS_IPX65R110CFD_2_61.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+457.20 грн
50+233.56 грн
100+213.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPA65R110CFDXKSA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA65R110CFDXKSA2 IPA65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies Infineon_IPX65R110CFD_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R110CFDXKSA2 IPA65R110CFDXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPX65R110CFD_2_61.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 31.2A; 34.7W; TO220FP; 150ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 34.7W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V
Reverse recovery time: 150ns
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R110CFDXKSA2 Infineon_IPX65R110CFD_DS_v02_06_en.pdf
IPA65R110CFDXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R110CFDXKSA2 DS_IPX65R110CFD_2_61.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1
IPA65R110CFDXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 31.2A; 34.7W; TO220FP; 150ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 34.7W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V
Reverse recovery time: 150ns
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.