Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA65R125C7XKSA1
IPA65R125C7XKSA1

IPA65R125C7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPA65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be863f5d005b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.20 грн
50+155.68 грн
100+147.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R125C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPA65R125C7XKSA1 за ціною від 129.89 грн до 347.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA65R125C7XKSA1 IPA65R125C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA65R125C7_DataSheet_v02_01_EN-3362157.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.11 грн
10+294.58 грн
25+178.51 грн
100+162.55 грн
250+158.19 грн
500+134.25 грн
1000+129.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R125C7XKSA1 IPA65R125C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa65r125c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R125C7XKSA1 IPA65R125C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R125C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R125C7XKSA1 IPA65R125C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R125C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.