Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA65R150CFDXKSA2
IPA65R150CFDXKSA2

IPA65R150CFDXKSA2 Infineon Technologies

Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.87 грн
50+144.04 грн
100+130.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R150CFDXKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPA65R150CFDXKSA2 за ціною від 148.84 грн до 178.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA65R150CFDXKSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 22.4A; 34.7W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 34.7W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+178.20 грн
200+148.84 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R150CFDXKSA2 IPA65R150CFDXKSA2 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r150cfd__2_01.pdf 650V Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R150CFDXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX65R150CFD_DS_v02_00_en-1227316.pdf MOSFET HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.