Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA65R190C7XKSA1
IPA65R190C7XKSA1

IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa65r190c7-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+140.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPA65R190C7XKSA1 за ціною від 78.94 грн до 265.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA65R190C7XKSA1 IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa65r190c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+168.56 грн
7000+154.78 грн
10500+144.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa65r190c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.51 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA65R190C7-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.27 грн
10+162.11 грн
100+108.54 грн
500+90.22 грн
1000+83.87 грн
2500+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA65R190C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be94da350082 Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.12 грн
50+123.97 грн
100+112.12 грн
500+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 IPA65R190C7XKSA1 INFINEON INFNS30021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.60 грн
10+157.06 грн
100+134.86 грн
500+90.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa65r190c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 infineon-ipa65r190c7-datasheet-v02_01-en.pdf
IPA65R190C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+168.56 грн
7000+154.78 грн
10500+144.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 infineon-ipa65r190c7-datasheet-v02_01-en.pdf
IPA65R190C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
195+181.51 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 Infineon-IPA65R190C7-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPA65R190C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+253.27 грн
10+162.11 грн
100+108.54 грн
500+90.22 грн
1000+83.87 грн
2500+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 Infineon-IPA65R190C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be94da350082
IPA65R190C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+256.12 грн
50+123.97 грн
100+112.12 грн
500+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 INFNS30021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA65R190C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+265.60 грн
10+157.06 грн
100+134.86 грн
500+90.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 infineon-ipa65r190c7-datasheet-v02_01-en.pdf
IPA65R190C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.