Продукція > INFINEON > IPA65R190E6XKSA1

IPA65R190E6XKSA1 INFINEON

Name: IPA65R190E6XKSA1
Brand: INFINEON
SKU: 2259960-6
Price: 1088.64 UAH
Availability: InStock

INFN-S-A0004583440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	272.16 грн
10+	183.22 грн
100+	134.30 грн
500+	114.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPA65R190E6XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPA65R190E6XKSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPA65R190E6XKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPA65R190E6XKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPA65R190E6XKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPA65R190E6XKSA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_LEGACY	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.