IPA65R190E6XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R190E6XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 34W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.
Інші пропозиції IPA65R190E6XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPA65R190E6XKSA1 | Infineon |
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
IPA65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IPA65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA65R190E6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPA65R190E6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Транзистори
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPA65R190E6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPA65R190E6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.