IPA65R190E6XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 274.27 грн |
| 10+ | 214.17 грн |
| 100+ | 164.22 грн |
| 500+ | 137.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R190E6XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPA65R190E6XKSA1 за ціною від 172.62 грн до 301.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA65R190E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA65R190E6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 177 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
IPA65R190E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPA65R190E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPA65R190E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPA65R190E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |